石英砂是制备多晶硅和单晶硅的基本原料，应用于半导体技术、太阳能、航天等高科技领域。石英砂的纯度和元素含量直接影响着所制备产品的好坏。传统石英砂的制备工艺为：粗选→破碎→焙烧→水碎→粉碎→除铁→酸浸泡→浮选等工序，后制成80-100目的产品。这种生产和提纯工艺较简单，不能有效去除石英的包裹杂质、表面杂质以及生产过程中存在的杂质，使得纯度不高，特别是内部对多晶硅有很大影响的硼和磷等，去除效果更差。
本专利旨在提供一种制备适用于生产多晶硅的高纯石英砂的方法，采用石英砂为基本原料，通过对块状原料的水碎除去砂粒表面和内部的矿异物，以及通过对石英砂细粉的水碎除去石英砂中的可燃和可溶性杂质，再通过酸浸去除绝大多数的矿异物，得到高纯石英砂，为制备高质量的金属硅提供原料。
制备适用于生产多晶硅的高纯石英砂方法包括以下步骤：
1、粗选：将各类石英原矿中的明显的杂质和异物去除；
2、破碎：采用破碎机将石英原矿破碎至粒径为1-20mm的颗粒；
3、水碎：将被烧后的石英颗粒置于冷水中快速冷却，以达到去除矿物内部的汽泡、水纹以及一些包裹的杂质的目的，使矿物裂开；
4、粉碎：采用湿磨或干磨将原料制成粒径在5-50μm的超细石英砂；
5、高梯磁磁选：选用磁场强度为50-15000高斯的高梯磁磁选选矿设备，取出原料本身和操作过程中引入的铁等单质以及具有弱磁性的这些单质的化合物；
6、分级：利用分级设备按标准将原料分成多种粒度范围产品，在后续处理中，根据粒度范围均进行分别处理；
7、焙烧：采用焙烧炉，将石英原矿颗粒在300℃-1500℃的条件下焙烧2-5小时；
8、水碎：将被烧后的石英颗粒迅速置于室温热水中冷却，溶去焙烧生成的易溶性物质，并通过对水加热0.5-2小时，以增加该部分可溶性物质在水中的溶解度；
9、浮选：向水碎后的石英砂细粉加入浮选剂，将比重小于1的杂质除去；
10、去离子水洗：用去离子水洗除残余的浮选剂和石英砂表面的杂质；
11、干燥：先将去离子水洗后的石英砂进行风干（晾干）等除去大批量的水，然后再在特种干燥设备中进行干燥，并加热至100℃-200℃；
12、酸浸：将干燥后的石英砂加入浸渍槽，在干燥高温的条件下迅速加入酸浸所用的酸（硫酸、盐酸、硝酸或氢氟酸），酸的浓度为5%-20%，在30℃-100℃的条件下恒温搅拌2-24小时，除去石英砂细粉中的微量金属和非金属杂质；
13、去离子水洗：将酸浸后的原料用去离子水洗去原料包含的酸液等，直至呈中性；
14、干燥及包装：用特种干燥设备将原料进行干燥，并在净化车间内进行真空包装，得到产品。
该高纯石英砂的制备方法，主要体现在对硼和磷的脱除上，现有技术一般只对大块的矿石进行一次粉碎，该步骤虽可以脱除大量气泡、裂痕以及矿本身包含的一些矿异物，但经该过程后，石英砂的粒径仍然很大，对于粒径内部的矿异物仍然不能进行有效的脱除。由于石英砂粉碎后进行再次的焙烧和水碎，使石英砂细颗粒更大程度的与空气中的氧等结合，可以更好地脱除能与氧发生反应并能够气化或升华的物质。将焙烧后的样品放入水中后，又可以将可溶性的一些物质脱除，水碎后的物料进行加热，可以大大增加生成的可溶性杂质在水中的溶解度，提高脱杂效果。
